MOS管GS兩端并聯(lián)阻容作用
仿真分析
如圖所示MOS管驅動電路，定性分析可知，當MOS管關斷時，MOS管兩端應力為Vds，此時Vds向Cgd和Cgs充電，可能導致Vgs達到Vgs(th)導致MOS管誤導通。
圖1 MOS管驅動等效電路
以MOS管IMZA65R048M1H為例
設此時應力Vds為600V，Cgs兩端電壓為
此時Vgs已經達到，管子開啟電壓Vgs(th)
如果Cgs兩端并接電阻R=10k
此時Vgs會慢慢降為0，Vds基本落在Cgd兩端，但是還是會有一個較高的電壓尖峰，此時Cgs兩端并聯(lián)一個2.2nF的電容，此時可以發(fā)現(xiàn)電壓尖峰只有2.2V左右，可以有效防止MOS管的誤導通。
結論：
Cgs兩端并接阻容可以有效防止MOS管的誤導通。
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